2025년 9월 12일, SK하이닉스는 세계 최초로 HBM4 개발을 성공적으로 완료했고, 대량 생산 시스템도 구축했다고 발표함.
주요 사양 변화(12-Hi HBM3E 대비):
IO 단자 수가 두 배로 늘면서 대역폭이 2배 이상 확대
데이터 전송 속도가 10Gb/s 이상으로 상승
전력 효율이 40% 이상 개선
퀵테이크:
업계 논의 결과 주요 고객사가 최근 HBM4 속도 요구사항을 8Gb/s에서 10Gb/s로 상향했고, SK하이닉스의 발표는 이 기준을 충족하는 진행 상황을 시사함
한국 공급업체(SK하이닉스, 삼성전자)가 베이스 다이에 로직 공정 채택, 경쟁사 대비 유리한 위치로 평가
전력 효율 관련: 하이닉스는 40% 이상 개선됐다고 발표, 마이크론은 20% 이상이라고 밝혔으나, 기업별 정의/테스트 조건 차이로 단순 비교는 불가
삼성전자도 금월 내로 향상된 속도의 HBM4 샘플 제공 준비 중, 이로 인해 양사 모두 4분기 중후반에 현 샘플링 단계 결과 확인 전망
고객의 최종 샘플링 단계가 순조롭게 마무리될 경우, HBM4 대량 생산은 2025년 말~2026년 초 전망
메모리 가격 전망:
HBM 가격: 내년도 볼륨/가격에 대한 세부 계약은 아직 불확실하지만, 이달 중 타결될 가능성 높음.
HBM4 요건 충족 난이도 증가로 가격 상승 여력 있으나, HBM3E 12Hi 가격 큰 폭 하락 전망에 따라 내년 HBM 평균가격(ASP)은 전년대비 두 자릿수 % 하락 전망
서버용 메모리 수요는 특히 미국 CSP(클라우드사업자) 주도로 강세 지속
일반 DRAM/NAND 가격은 연말까지는 상승세 유지, 2026년 상반기 재고 조정 시 가격 조정 예상이나, 서버 수요가 계속되면 상반기까지 가격 상승 사이클 연장 가능
발간시간이 금요일 장후인 점이 눈에 띕니다 | 
